距离上一次写半导体，已经过了很久了，上次分享了本征半导体的基本概念：
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今天给大家聊聊半导体工业中的基础：PN结与二极管
1、掺杂的半导体
如果将本征半导体进行掺杂处理，我们可以得到P型半导体和N型半导体。如图1-1，P型半导体以空穴作为多数载流子，N型半导体以电子作为多数载流子。如果单纯的对掺杂半导体进行通电，我们会发现半导体的导电能力大大增强了（相对于本征半导体），在相同掺杂浓度的半导体中，N型半导体体的导电能力更强（电子的迁移率大约是空穴迁移率的3倍）。
图1-1 本征半导体与掺杂半导体
2、载流子的扩散与漂移
如果将一个P型半导体和一个N型半导体合在一起，那么由于扩散运动，N型半导体内的电子会跑到P型半导体中和空穴复合；P型半导体的空穴会跑到N型半导体内与电子复合。那么这个时候在结合面的附近P型半导体空轨道被电子填满形成带负电的粒子，而N型半导体失去自由电子，形成带正点的粒子，扩散运动形成了正负粒子构建的内电场。随着扩散深度的加强，内电场的场强在增加，此时进入电场内的载流子被加速：电子逆着电场方向移动，空穴沿着电场方向移动，P型半导体获得空穴，N型半导体获得电子，从而使内建电场强度减弱形成“负反馈”。最终PN 结的内建场强处于一个动态平衡之中，如图2-1。
在PN结的内建电场区域几乎没有自由移动的载流子，而正负粒子被晶格所束缚不能自由移动。这个空间区域称为空间电荷区，也叫耗尽层，也叫势垒区。在初学模拟电路的时候，我们经常会被这三个名词所困惑，这里我们不妨再看一下：空间电荷区是按照电荷特性划分的，该部分是不能自由移动的电荷；从电场的角度来看，内建电场阻碍了载流子的扩散，就像一堵墙一样，如果载流子要通过这个区域必须获得克服该势垒的能量；从载流子的角度来看，这里的电子和空穴进行了复合，仿佛附近的载流子被消耗了一般，因此也称为耗尽层。所以，空间电荷区 = 势垒区 = 耗尽层。
